Simulation of Transport in Nanodevices

Simulation of Transport in Nanodevices
Автор книги: id книги: 1061913     Оценка: 0.0     Голосов: 0     Отзывы, комментарии: 0 16559,9 руб.     (161,44$) Купить и читать книгу Купить бумажную книгу Электронная книга Жанр: Техническая литература Правообладатель и/или издательство: John Wiley & Sons Limited Дата добавления в каталог КнигаЛит: ISBN: 9781118761779 Возрастное ограничение: 0+

Реклама. ООО «ЛитРес», ИНН: 7719571260.

Описание книги

Linear current-voltage pattern, has been and continues to be the basis for characterizing, evaluating performance, and designing integrated circuits, but is shown not to hold its supremacy as channel lengths are being scaled down. In a nanoscale circuit with reduced dimensionality in one or more of the three Cartesian directions, quantum effects transform the carrier statistics. In the high electric field, the collision free ballistic transform is predicted, while in low electric field the transport remains predominantly scattering-limited. In a micro/nano-circuit, even a low logic voltage of 1 V is above the critical voltage triggering nonohmic behavior that results in ballistic current saturation. A quantum emission may lower this ballistic velocity.

Добавление нового отзыва

Комментарий Поле, отмеченное звёздочкой  — обязательно к заполнению

Отзывы и комментарии читателей

Нет рецензий. Будьте первым, кто напишет рецензию на книгу Simulation of Transport in Nanodevices
Подняться наверх