Фотоэлектрические явления в широкозонных полупроводниковых гетероструктурах с глубокими примесными уровнями. Монография

Оглавление

Салим Мадрахмович Отажонов. Фотоэлектрические явления в широкозонных полупроводниковых гетероструктурах с глубокими примесными уровнями. Монография

Введение

§1. Край поглощения света тонких пленок CdTe с глубокими уровнями

§2. Некоторые общие соображения о спектральном распределении фотоЭДС и фотопроводимости

§3. Фотопроводимость в поликристаллических пленках CdTe в области примесного поглощения света

§4. Примесный АФН-эффект. Спектральное распределение фото- ЭДС в Тонких пленках

§5. Спектр глубоких уровней в Тонких пленках CdTe: Ag

§6. Пикосекундная фотопроводимость поликристаллических пленок CdTe: Ag

§7. Механизм образования фото-ЭДС в примесной и собственной областях оптического поглощения

§8. Влияние имплантации бора, серебра и меди на фотоэлектрические свойства плёнок CdTe

§9. Изменение спектральных характеристик фотопроводимости и фото – ЭДС пленок CdTe: Ag при термообработке с участием хлора

§10. Влияние материала подложки на фотоэлектрические свойства пленок CdTe

§11. Влияние механической деформации на спектральную чувствительность пленок CdTe: Ag

Выводы

Литература

Отрывок из книги

Физические свойства и механизм образования фото-ЭДС в пленках А2В6 исследовались во многих работах [2—7], но глубокие уровни в них почти не изучались. В то же время, комплексное изучение фото-ЭДС и фотопроводимости позволяет определить не только энергии их активации, но и свойства межкристаллических барьеров вдоль слоя, а также их различия на поверхности и в глубине слоя. В данной главе рассмотрим структуру края поглощения пленок, что необходимо для упрощения анализа спектров фотопроводимости и тока короткого замыкания, а также систематизируем электрофизические свойства слоев, полученных с разной скоростью конденсации. Будут рассмотрены и некоторые простые феноменологические модели этих слоев. В конце главы сделана попытка построить более реальную модель АФН-пленки и теорию образования АФН в косо напылённых поликристаллических пленках в области собственного и примесного поглощения света.

На рис.1. представлена зависимость T от энергии кванта света (hν) для пленок CdTe: Ag, полученных при разных скоростях конденсации (см. табл.1.).

.....

Асимметричность свойств косо-напыленных пленок наблюдается и при измерении зависимостей параллельного (рис. 9, кривая 1) и перпендикулярного (кривая 2) фототоков от интенсивности возбуждающего света L (ЛАХ) при освещении светом с

В обоих направлениях имеются три участка со значениями и это должно определяться изменением условий рекомбинации и протекания тока в зависимости от уровня возбуждения.

.....