Wide Band Gap Semiconductor Nanowires 2. Heterostructures and Optoelectronic Devices

Wide Band Gap Semiconductor Nanowires 2. Heterostructures and Optoelectronic Devices
Автор книги: id книги: 1060403     Оценка: 0.0     Голосов: 0     Отзывы, комментарии: 0 15938,7 руб.     (155,74$) Купить и читать книгу Купить бумажную книгу Электронная книга Жанр: Техническая литература Правообладатель и/или издательство: John Wiley & Sons Limited Дата добавления в каталог КнигаЛит: ISBN: 9781118984277 Возрастное ограничение: 0+

Реклама. ООО «ЛитРес», ИНН: 7719571260.

Описание книги

This book, the second of two volumes, describes heterostructures and optoelectronic devices made from GaN and ZnO nanowires. Over the last decade, the number of publications on GaN and ZnO nanowires has grown exponentially, in particular for their potential optical applications in LEDs, lasers, UV detectors or solar cells. So far, such applications are still in their infancy, which we analyze as being mostly due to a lack of understanding and control of the growth of nanowires and related heterostructures. Furthermore, dealing with two different but related semiconductors such as ZnO and GaN, but also with different chemical and physical synthesis methods, will bring valuable comparisons in order to gain a general approach for the growth of wide band gap nanowires applied to optical devices

Добавление нового отзыва

Комментарий Поле, отмеченное звёздочкой  — обязательно к заполнению

Отзывы и комментарии читателей

Нет рецензий. Будьте первым, кто напишет рецензию на книгу Wide Band Gap Semiconductor Nanowires 2. Heterostructures and Optoelectronic Devices
Подняться наверх