Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT Theory and Design

Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT Theory and Design
Автор книги: id книги: 1778976     Оценка: 0.0     Голосов: 0     Отзывы, комментарии: 0 20463,3 руб.     (203,25$) Купить и читать книгу Купить бумажную книгу Электронная книга Жанр: Техническая литература Правообладатель и/или издательство: John Wiley & Sons Limited Дата добавления в каталог КнигаЛит: ISBN: 9780471660996 Возрастное ограничение: 0+

Реклама. ООО «ЛитРес», ИНН: 7719571260.

Описание книги

A comprehensive and «state-of-the-art» coverage of the design and fabrication of IGBT. All-in-one resource Explains the fundamentals of MOS and bipolar physics. Covers IGBT operation, device and process design, power modules, and new IGBT structures.

Добавление нового отзыва

Комментарий Поле, отмеченное звёздочкой  — обязательно к заполнению

Отзывы и комментарии читателей

Нет рецензий. Будьте первым, кто напишет рецензию на книгу Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT Theory and Design
Подняться наверх