Читать книгу Журнал PC Magazine/RE №2/2011 - PC Magazine/RE - Страница 2

Уверенный переход компьютерного рынка от оперативной памяти DDR2 к стандарту DDR3 произошел только в 2010 г. – вместе с широким распространением платформ, рассчитанных на установку ЦП Intel семейства Westmere с интегрированным DDR3-контроллером. ИТ-аналитики в конце прошлого года ожидали, что следующее поколение DDR DRAM разовьется до уровня коммерческой востребованности лишь к 2015 г. Однако компания Samsung, похоже, решила несколько поторопить события – и уже предлагает партнерам для тестирования 2-Гбайт модули памяти DDR4.

В официальном пресс-релизе Samsung Electronics Co., Ltd. сообщает, что в декабре 2010 г. завершила разработку фактически готового к коммерческому применению модуля памяти DDR4 DRAM с использованием технологии, точная норма которой не указывается – сказано лишь, что относится она к 30-нм классу (речь может идти о 32-нм или, что более вероятно, 36-нм процессе). Для тестирования производителям контроллеров переданы 2-Гбайт модули памяти DDR4 архитектуры UDIMM, способные работать под напряжением 1,2 В.

JEDEC – международная ассоциация производителей полупроводниковых микросхем – уточнила во второй половине 2010 г., что память стандарта DDR4 DRAM будет работать на частотах от 2133 до 4266 МГц и требовать напряжения 1,1–1,2 В. Впрочем, новый стандарт будет отличаться от DDR3 не только количественными показателями производительности.

Скорее всего, первые коммерческие модули DDR4 найдут применение в платформах на базе нового процессорного гнезда Intel серверного уровня, которое, по слухам, сменит LGA 1366 в III квартале 2011 г. Ожидается, что в ЦП, предназначенные для этого гнезда, будет интегрирован четырехканальный контроллер ОЗУ, – именно над его созданием придется потрудиться теперь партнерам Samsung.

При этом каждый из каналов оперативной памяти новой платформы будет взаимодействовать с единственным модулем DRAM; такое решение позволит добиться максимальной ширины полосы пропускания. Контроллер памяти, таким образом, организует работу по схеме «точка—точка», самостоятельно распределяя нагрузку внутри каждого отдельного канала (до сих пор эта задача частично возлагается на каналы DIMM).

Такая структура организации DDR4 позволит создателям серверных системных плат разрабатывать мощные коммутаторы ОЗУ для лучшего перераспределения нагрузки между массивом оперативной памяти и вычислительными (процессорными) узлами. Выделение единственного модуля DRAM на канал означает, что для производительных серверов будут применяться очень емкие модули DDR4 – вплоть до 64 Гбайт.

Скорее всего, они будут организовываться по технологии сквозных соединений TSV (through-silicon via), которая позволяет эффективно (слоями) располагать микросхемы памяти на печатной плате модуля. Пожалуй, единственная категория компьютерных пользователей, которых может расстроить переход на DDR4, – это энтузиасты разгона. TSV-модули обещают быть весьма чувствительными к нарушению температурного и вольтажного режима – из-за повышенных требований к эффективности теплоотвода и отсутствию паразитных токов утечки.

Разработанные Samsung модули DDR4 DRAM обеспечивают производительность 2,133 Гбит/с, работая под напряжением 1,2 В (что заметно экономичнее характерных для DDR3 1,35 и 1,5 В при 1,6 Гбит/с). Микросхемы для этих модулей созданы по технологии псевдооткрытого стока (POD; pseudo-open drain), которая до сих пор применялась в высокопроизводительных модулях графической памяти: она дополнительно обеспечивает вдвое меньшее потребление электроэнергии по сравнению с модулями DDR3 при чтении и записи данных.

Samsung намеревается тесно сотрудничать с рядом производителей серверов, чтобы обеспечить завершение стандартизации JEDEC для технологий DDR4 уже во второй половине наступившего года.