Реклама. ООО «ЛитРес», ИНН: 7719571260.
Введение
Общие теоретические положения
Правила построения кристаллических структур и молекул
«Запрещённая химия» А. Р. Оганова
Построение кристаллических структур
Кристаллические решётки на основе больших атомов ГЕРмания Ge32. Построения сложных структур
Обратная задача
Положение о молекулах
Катализатор, реакции на свету и окислительно-восстановительные реакции
Свойства, определяемые структурой вещества
Заключение
Литература
В этой книге разговор пойдёт о квантовой химии. Целью повествования является объяснение стабильности химических соединений (кристаллических структур, молекул органической химии и прочее), которые с помощью нехитрых правил может составить каждый, в том числе и непосвящённый в химию человек, познакомившийся с методикой этой книги. Ниже мы рассмотрим изыскания автора, исходящие из общего аналитического решения уравнения Шредингера. Работая над разделами по квантовой химии, мне хотелось изложить их на примерах, при разборе которых появляются общие принципы строения тех или иных материалов. Навыки из некоторых положений книги читатель сможет освоить и применить на практике. Выделение каждого принципа отдельно позволит читателю быстрее разобраться и освоить материал, потому что тема после тщательного анализа не кажется мне уже такой запутанной и, что более важно, не требует длительных расчётов, используя метод «роя частиц». Метод этой книги более универсален, потому что опирается на общее аналитическое решение уравнения Шредингера, которое даёт возможность правильно составить структуру вещества и определить её свойства.
Считаю важным отметить – в процессе исследования выяснилось, что волновая функция электрона для предсказания химических структур оказалась невостребованной, но гораздо более эффективным методом расчётов стал энергетический подход. В данном подходе используется энергия электрона, благодаря исследованию которой и родилась эта книга.
.....
е) В разделе «квантовая химия» [1] говорилось о свойствах атомов (оболочек куба):
2h-1 – количество возможных потенциальных ям, приходящихся на сторону куба (атома). D – количество электронов на завершённом уровне для оболочки куба (количество электронов на h-уровне).
.....