Фундаментальные основы процессов химического осаждения пленок и структур для наноэлектроники

Фундаментальные основы процессов химического осаждения пленок и структур для наноэлектроники
Автор книги:     Оценка: 0.0     Голосов: 0     Отзывы, комментарии: 0 780 руб.     (13,35$) Купить и читать книгу Купить бумажную книгу Электронная книга Жанр: Техническая литература Правообладатель и/или издательство: ФГУП «Издательство СО РАН» Дата публикации, год издания: 2013 Дата добавления в каталог КнигаЛит: ISBN: 978-5-7692-0669-6, 978-5-7692-1272-7 Возрастное ограничение: 0+

Описание книги

В монографии представлены результаты развития процессов химического осаждения из газовой фазы металлических и диэлектрических пленок с использованием нетрадиционных летучих исходных соединений, а именно, комплексных соединений металлов и кремнийорганических соединений, синтезируемых в ИНХ СО РАН и ИрИХ СО РАН. Рассматриваются результаты исследования физико-химических свойств исходных соединений. Изложены принципы выбора исходных соединений, основанные на исследовании их термодинамических свойств и термодинамическом моделировании MO CVD процессов. Получены и исследованы наиболее важные для современной электроники и наноэлектроники материалы: металлические пленки (Cu, Ni, Ru, Ir), диэлектрические пленки с высоким (high-k) и низким (low-k) значением диэлектрической проницаемости. Изучены химический, фазовый состав и структура простых и сложных оксидов на основе HfO 2 (high-k диэлектрики), а также карбонитридов бора, карбонитридов и оксикарбонитридов кремния (low-k диэлектрики). Книга адресуется студентам, аспирантам, инженерам и научным сотрудникам, занимающимся химией твердого тела, микроэлектроникой и технологией материалов электронной техники.

Добавление нового отзыва

Комментарий Поле, отмеченное звёздочкой  — обязательно к заполнению

Отзывы и комментарии читателей

Нет рецензий. Будьте первым, кто напишет рецензию на книгу Фундаментальные основы процессов химического осаждения пленок и структур для наноэлектроники
Подняться наверх