Читать книгу Журнал PC Magazine/RE №01/2009 - PC Magazine/RE - Страница 4

Пресловутый «закон» Мура живет и здравствует на протяжении десятилетий – и отправляться в запасники истории пока не намерен. В последние несколько лет особенно часто появляются сообщения о новейших технологиях, способных продлить срок применения этого эмпирического правила.

Очередную идею предлагают инженеры из Беркли: чтобы сфокусировать пучок УФ-излучения, применяемый при фотолитографическом способе производства микросхем, до сверхмалых площадей (около 80 нм), они намерены использовать плазмонные металлические линзы.

Плазмон – квазичастица, квант плазменных колебаний, настолько же реальный и эффективный способ описания свойств таких колебаний, как фотон для электромагнитной волны или фонон – для волны звуковой. Плазмоны возникают при описании электромагнитных свойств металлов, рассматриваемых как совокупность трехмерной кристаллической решетки, образованной ионами собственно металла, и заполняющей эту решетку электронной плазмы.

При определенных условиях такая электронная плазма взаимодействует с падающим на металл световым (электромагнитным) потоком подобно линзе – оказывая влияние на форму пучка. Плазмонная фокусировка оказывается куда более точной, чем при использовании обычных линз. Размер итогового пучка зависит от точности фокусировки, а скорректировать «форму» плазмонной линзы электронными средствами управления значительно проще, чем с той же точностью отшлифовать линзу из стекла или иного материала. В лаборатории были получены пучки, при помощи которых на поверхности образца изображались структуры с характерной толщиной линий 80 нм.

Исследователи из Беркли заявляют, что уже в ближайшее время при помощи плазмонной нанолитографии удастся на порядок уменьшить размеры микропроцессоров, увеличив при этом их вычислительную мощь. Та же технология в приложении может обеспечить плотность записи, на один-два порядка превосходящую доступную на рынке в настоящее время. Сегодняшний предел традиционной фотолитографии, составляет 35 нм – Новая методика способна за короткое время пройти путь от нынешних 80 до 5-10 нм.