Фотонно-стимулированные технологические процессы микро- и нанотехнологии

Оглавление

Игорь Житяев. Фотонно-стимулированные технологические процессы микро- и нанотехнологии

Введение

1. Взаимодействие фотонного излучения с полупроводниковой поверхностью

1.1. Оптические свойства полупроводниковой структуры

1.2. Распределение температурных полей в кремниевой подложке при сканировании лазерным лучом

1.3. Классификация режимов фотонной обработки

2. Рекристаллизация аморфных и поликристаллических кремниевых слоев лазерным излучением

2.1. Лазерная рекристаллизация полупроводников

2.2. Импульсная лазерная кристаллизация аморфных слоев

2.3. Лазерная кристаллизация поликремниевых лент

2.4. Лазерный отжиг структур

2.5. Механизмы отжига имплантированных полупроводниковых структур

3. Лазерное легирование

4. Лазерно-стимулированное формирование контактов

4.1. Формирование контактных областей с использованием эвтектических сплавов

4.2. Формирование силицидов в контактных областях

5. Лазерно-стимулированное осаждение диэлектрических пленок

5.1. Фотостимулированное осаждение диэлектрических пленок SiO2 и Si3N4 с применением моно- и дисилана

5.2. Осаждение пленок оксида кремния из кремний содержащих органических соединений

5.2.1. Модель процесса фотоосаждения

6. Лазерное осаждение металлов

6.1. Вакуумное лазерное осаждение металлов

6.2. Лазерное локальное осаждение металлических пленок

6.3. Импульсное осаждение пленок алюминия из газовой фазы

6.4. Осаждение пленок вольфрама

6.5. Осаждение вольфрамовых контактов на сложные полупроводники

7. Лазерно-стимулированные эпитаксиальные процессы осаждения кремниевых слоев

7.1. Лазерно-стимулированные эпитаксиальные процессы

7.2. Лазерно-стимулированное эпитаксиальное осаждение пленок кремния

8. Лазерно-стимулированное осаждение эпитаксиальных слоев соединений AIIIBV и AIIВVI

8.1. Лазерно-стимулированная эпитаксия соединений АIIIВV

8.2. Лазерно-стимулированная эпитаксия соединений АIIВVI

9. Лазерная технология создания перспективной элементной базы СБИС. Планаризация микроструктур

9.1. Особенности конструкции и технология изготовления перспективных элементов СБИС с использованием лазерного излучения

9.2. Лазерная планаризация структур БИС

Заключение

Список литературы

Отрывок из книги

Как известно, излучение, падающее на поверхность пластины, частично отражается, поглощается и может также пропускаться. Поэтому справедливо выражение для плотности потока излучения

где РR, PA, PT – части плотности мощности потока облучения отраженного, поглощенного и пройденного сквозь пластину соответственно.

.....

На рис. 2 показаны спектральные зависимости коэффициента поглощения для различных температур (а) и концентраций примеси в подложке (б). Видно, что в диапазоне температур использования лазерной обработки α изменяется на 4-5 порядков. Введение примеси также существенно увеличивает α. Совпадение расчётных и известных экспериментальных значений α свидетельствует о его удовлетворительной интерпретации в широком температурном и спектральном диапазонах.

Поглощение фотонного излучения плёнками металлов (например, Mo, Al) удовлетворительно описывается одной из составляющих коэффициента α – поглощением на свободных носителях (αfc), так как даже при низких температурах их концентрация велика.

.....