Читать книгу All sciences. №9, 2023. International Scientific Journal - Екатерина Александровна Селивёрстова, Ibratjon Xatamovich Aliyev, Екатерина Александровна Мулярчик (Буча) - Страница 4
PHYSICAL AND MATHEMATICAL SCIENCES
STUDY OF THE CONTROL PROPERTIES OF POLYCRYSTALLINE STRUCTURES BASED ON SILICON AND CADMIUM TELLURIDE
Ferghana State University, Ferghana, Uzbekistan
ОглавлениеAnnotation. In this paper, the photoelectric properties of CdTe – SiO2 – Si heterostructures are investigated. For the first time, the possibility of controlling the spectrum of short – circuit current and photo-EMF using an integrated charge in a dielectric (SiO2) has been demonstrated. It was found that with an increase in the corona discharge potential, the spectra will mix into the short – wavelength regions of the spectrum from 0.93 to 1.5 eV, while the activation energy of the deep level of 0.73 eV changes significantly and this change occurs due to the Poole-Frenkel effect. It is found that the electric field strength in the vicinity of the defect is ε = 105 V/cm.
Keywords: photoconductivity, PHOTOEMF, spectral distribution of photosensitivity, short-circuit current, asymmetry of barriers, surface photo-EMF, deep levels, impurity photoconductivity, corona discharge.
Аннотация. В данной работе исследованы фотоэлектрические свойства гетероструктур на основе CdTe – SiO2 – Si. Впервые продемонстрирована возможность управления спектра тока короткого замыкания и фото – ЭДС при помощи встроенного заряда в диэлектрике (SiO2). Установлено, что с увеличением потенциала коронного разряда спектры смешается в коротковолновые области спектра от 0,93 до 1,5 эВ, при этом существенно изменяется энергии активации глубокого уровня 0,73 эВ и это изменение возникает за счёт эффекта Пула – Френкеля. Найдено, напряжённость электрического поля в окрестности дефекта ε = 105 В/см.
Ключевые слова: фотопроводимость, фото-ЭДС, спектральное распределение фоточувствительности, ток короткого замыкания, асимметрия барьеров, поверхностная фото-ЭДС, глубокие уровни, примесная фотопроводимость, коронный разряд.