Читать книгу Все науки. №10, 2024. Международный научный журнал - Ибратжон Хатамович Алиев - Страница 11

Исходя из полученных результатов, были сформулированы 3 отдельно взятые модели по теллуриду кадмия, оксиду кремния и кристаллическому кремнию, при этом в каждом из случаев функции представлены в трёхмерном пространстве. Фактически, было бы логичным расположить каждую из функций друг за другом, создав одну единую модель полупроводникового элемента.

Так, в виде максимально дискретно представленного графика, моделирующий весь полупроводниковый элемент может быть представлен сборник всех на данный момент полученных трёхмерных графиков в различных комбинациях, что также соответствует различным комбинациям расположения слоёв полупроводникового элемента. При этом каждая из комбинаций может быть представлена посредством отдельных выборок, где отдельная роль отводиться 2 измерениям, а третья изменяется, соответствуя общей выборке в Табл. 2—4.

Таблица 1. Первая формулировка комплектов графиков

Таблица 2. Вторая формулировка комплектов графиков

Таблица 3. Вторая формулировка комплектов графиков

При этом каждая таблица может быть представлена в 2 масштабах 10^—2, 10^—3 в Рис. 20—22, при том же равная по виду с масштабов по 10^—5 и 10^—6.

Рис. 20. Первая форма соединённой трёхмерной диаграммы в 10^—2 и 10^—3

Рис. 21. Вторая форма соединённой трёхмерной диаграммы в 10^—2 и 10^—3

Рис. 22. Третья форма соединённой трёхмерной диаграммы в 10^—2 и 10^—3

В результате была получена дискретная общая форма организованного полупроводникового элемента, однако при организованном эмпирическом расчёте полученная вариация может быть представлена согласно детектируемым показателям. Так, зависимости спектрального характера при взаимодействии с внешним коронным разрядом показывают изменение Рис. 24, когда же изменение высоты в масштабе потенциального барьера, необходимого для преодоления электронами могут быть представлены согласно Рис. 23.

Рис. 23. Рост потенциального барьера электронов с наличие стороннего источника потенциального поля

Рис. 24. Спектральный характер взаимодействия под действием стороннего электростатического поля

Каждый из полученных результатов на данный момент является важным и актуальным элементом исследования, который наглядно подтверждается согласно степени корреляции с полученными теоретическими данными в рамках постановки граничных условий для выведенного уравнения электропроводности.