Читать книгу Применение квантового туннельного эффекта код - Илья Зайцев - Страница 13

СВЧ ЭМ излучение квантового генератора (мазера) в том числе отличается от поля, образуемого устройствами не квантовой страты.

Так как ЭМ поле квантового генератора когерентно, то взаимодействие излучения генератора с применяемым в ЭУ плазмокаталитического лизиса воды в тонкой пленке с туннельным ПК покрытием вращаемого экрана эмиттера электронной плазмы отличается от взаимодействия c СВЧ ЭМ полем, образуемым генераторами, не квантовыми в страте. Мы применяем когерентность СВЧ ЭМ поля генератора, так как выход плазмы, процесс туннельной эмиссии электронного газа на поверхность ПК выше во взаимодействии ПК туннельного покрытия эмиттера данным полем.

Взаимодействие тонкой структуры когерентного СВЧ ЭМ квантового генератора (лазера) с электронными уровнями ПК характеризуется более эффективным поглощением энергии поля, так как плотность соответствий максимумов и минимумов организованной тонкой структуры когерентного поля по сравнению с шумообразным с соответствующими частями тонкой структуры энергетических уровней ПК выше, и исходя из этого резонанс тонких волновых структур, поля с энергетическим уровнем, в объеме туннельного ПК покрытия интенсивнее, соответственно, больше выход электронной плазмы. То есть, применяя мазер, при меньшей затрате энергии мы имеем заданное количество каталитической электронной плазмы и больше выход плазмы с единицы поверхности туннельного ПК покрытия эмиттера.

Выбор квантового генератора, соответствующего техническим параметрам ЭУ. Применяем мазер на циклотронном резонансе (МЦР), гиротрон соответствует заданным параметрам ЭУ. Далее рассмотрим движитель экрана эмиттера электронной плазмы ЭУ.

Движитель, вращающий экран-эмиттер электронной плазмы ЭУ, предназначен для создания, переменяя центробежную силу на туннельном ПК покрытии экрана-эмиттера, тонкого слоя термолизуемой СВЧ ЭМ полем жидкости. Конструкция движителя экрана-эмиттера электронной плазмы ЭУ следующая: на расстоянии от внутренней краевой поверхности чаши (параболоида вращения) экрана-эмиттера электронной плазмы ЭУ расположен вращающийся экран СП подковообразной формы. То есть между поверхностью экрана-эмиттера и СП есть зазор, достаточный для проникновения к поверхности ПК туннельного покрытия экрана-эмиттера ЭМ СВЧ поля от квантового генератора, взаимодействия данного излучения с ПК туннельным покрытием и эмиссии на поверхность покрытия электронной плазмы. Внешняя поверхность ПК покрыта ситаллом, диэлектрическим материалом – кордиеритом, покрытие предназначено для защиты поверхности ПК от разогрева и генерации в массиве ПК тока наведения от квантового генератора. СП расположен на кордиеритовых стержнях-держателях, два концевых стержня полые, в концевых кордиеритовых стержнях-держателях расположен СП провод, подсоединенный к электрической цепи ЭУ.

Диэлектрическая антенна излучения СВЧ ЭМ поля (бегущей волны) выполнена в форме «закрученного» стержня (пример – закрученный валик поверхности ситаллового диэлектрического стержня), так что вводимое от волновода на стержень ЭМ поле на выходе от стержня испытывает процессию, покадрово относительно поверхности, то есть вращается с большой скоростью вокруг оси симметрии стержня антенны. Соответственно, под зазором СП на поверхности экрана-эмиттера образуются два максимума электронной плазмы, движущиеся над контуром СП, поле СП взаимодействует с максимумами плазмы, так что экран-эмиттер, выталкиваемый полем, вращается вокруг оси. Скорость вращения движителя управляется нами, применяем увеличение либо уменьшение подачи токовой мощности на СП.