Читать книгу Применение квантового туннельного эффекта код - Илья Зайцев - Страница 14

Рассмотрим антенну, излучающую расположенную в камере синтеза водорода. Материал антенны – ситалл кордиерит, форма – АИ стержень-валик, на стержне есть анимационная поверхность.

Рассмотрим форму стержень-валик. Так как частота МЦР (гиротрона) периодически в интервале частот взаимодействия с плазменным экраном меняется, ЭМ волна, проходя диэлектрический стержень АИ, в проводном частотном состоянии огибает валик на поверхности стержня, далее есть перемена частоты МЦР, ЭМ волна далее в операционном состоянии такая, частота ЭМ поля такова, что поверхностная волна взаимодействует с поверхностью валика и изменяет направление бега и направляется на поверхность плазменного экрана.

Далее АИ, форма – стержень, анимационная поверхность – валик-выемка, количество выемок – две. Валики расположены на поверхности стержня последовательно снизу вверх. Выемки расположены от центральной оси стержня по спирали. Бегущая поверхностная ЭМ волна последовательно взаимодействует с формой так, что в операционном состоянии валик направляет поле на плазменный экран, выемки направляют соответственно более интенсивное поле на поверхность экрана, то есть кромку, контактную с СП. Так как в МЦР модулируем и, соответственно, и ЭМ поле изменяет свою частотную характеристику (последовательное переключение частоты) и валиков на анимационной поверхности несколько, то бегущая поверхностная волна в операционном состоянии срабатывает на анимационной поверхности последовательно (покадрово), и происходит переключение поля на соответствующие валики-выемки так, что на приемной поверхности плазменного экрана наблюдается круговое движение двух максимумов излучения-приема поля, анимированное движение плазмы, взаимодействующее с СП и вращающее экран.

Преимущества двухимпульсной схемы подачи энергии ЭМ поля от антенны излучения СВЧ на плазменный экран. Применяем двухимпульсную схему подачи энергии когерентного ЭМ поля, индукция-резонанс, от диэлектрической антенны излучения СВЧ на плазменный экран, отличающуюся от периодического процесса подачи импульса на экран, изменяющего форму энергетического барьера, так что в массиве электрический ток до подачи ЭМ когерентного импульса отсутствует, есть периодическая подпитка от СП конденсатора и индуцирующего ток в кристалле ПК в процессе электромагнитной деформации барьера следующим образом.

Схема запитки плазменного экрана следующая: в процессе взаимодействия исходящих импульсов от антенны излучения ЭМ поля с поверхностью ПК, плазменного экрана, образуется максимум напряженности поля (Кулон) в области поверхности туннельной эмиссии электронного газа, так как область максимума (вершины) находится во времени конгруэнтно максимумам подачи энергии ЭМ поля (заряд находится на поверхности определенное время). Соответственно, мы подаем запитку на максимум напряженности поля заряда в области эмиссии, аконгруэнтно максимумам подачи ЭМ, иначе далее последует процесс туннелирования плазмы в спираль, контакт СП с экраном и произойдет потеря энергии.

Преимущества двухимпульсной схемы туннельной эмиссии следующие: выход плазмы с единицы поверхности ПК, так что в массиве ток выше, чем ПК в апотоковом, соответственно, воздействуя на ПК ЭМ полем, процесс генерации тока индукционного, мы имеем выход плазмы существенно выше.

В процессе взаимодействия когерентного ЭМ поля с кристаллом ПК, его электронными оболочками в апотоковой конформации процесс резонанса есть поле электронных оболочек апотокового кристалла, то есть области электронов проводимости кристалла ПК, так что в кристалле отсутствует направленное движение электрических зарядов (ток), более когерентно, чем поле движения заряда (плазмы) в ПК, резонанс внешнего поля с полем электронных оболочек апотокового кристалла ПК эффективнее, и для изменения формы энергетического барьера, деформации барьера ЭМ полем достаточно одного импульса когерентного поля. Вернемся к рассмотренному выше процессу индукции. Да, взаимодействие когерентного поля с электронными оболочками кристалла ПК эффективнее, но данный процесс соответствует процессу взрывной эмиссии и приведет к разрушению, испарению кристалла ПК, поверхности плазменного экрана и далее к выходу оборудования из строя. Соответственно, мы данный процесс применять в данном ЭУ отказываемся, предпочитая двухимпульсную схему подачи энергии гиротрона.