Читать книгу Применение квантового туннельного эффекта код - Илья Зайцев - Страница 17

Туннельная эмиссия электронов на поверхность экрана эмиттера в процессе взаимодействия массива с внешним когерентным электромагнитным полем, внешнее электромагнитное поле уменьшает величину энергетического барьера, изменяет форму энергетического барьера.

Электронная эмиссия на поверхность туннельного полупроводника в процессе взаимодействия с внешним акустическим полем, УЗ эмиссия.

Магнитная эмиссия, внешнее ЭМ СВЧ когерентным полем генерируем в пластине СП, аккумулирующей электронный газ, электрический ток, бозоновская жидкость вытесняет магнитное поле к поверхности СП, далее магнитное поле вытесняет лептоны туннельного ПК к поверхности, процесс магнитного вытеснения ПК есть покрытие на поверхности СП, СВЧ инициирует ток соответственно в СП, ПК (метод короткоимпульсного преодоления магнитного барьера в СП см. выше).

Синергетическая туннельная эмиссия электронов в процессе упорядочивания магнитной структуры магнитного СП (ПК) внешним когерентным электромагнитным полем есть процесс увеличения проводимости и уменьшения энергетического барьера в магнитном полупроводнике, далее электронный газ туннелирует на поверхность. Взрывная туннельная эмиссия электронов в вакууме.

В процессе охлаждения испаряемое далее в процессе взрывной туннельной эмиссии электронов соединение переходит в твердое проводящее ток состояние, далее в процессе взаимодействия с импульсом электромагнитного поля в вакууме есть взрывная эмиссия льда, далее лизис, так что, учитывая квантовый эффект, энерготрата меньше.

Процесс взрывной электронной туннельной эмиссии электронов охлажденного металлического адсорбента данного лизируемого соединения, взрывная эмиссия амальгамы палладия, сорбирующей водород в вакууме, охлажденной, твердой, образующей эмитирующее покрытие – экран.