Читать книгу Detekcja sygnałów optycznych - Zbigniew Bielecki - Страница 7

APD (ang. avalanche photodiode) fotodioda lawinowa

APS (ang. active pixel sensor) piksel aktywny

BIB (ang. blocked impurity band) przyrząd z blokadą pasma domieszkowego

BJT (ang. bipolar junction transistor) tranzystor złączowy bipolarny

BLIP (ang. background limited infrared photodetectors) warunki pracy detektora, w których wykrywalność jest ograniczona fluktuacjami strumienia fotonów promieniowania tła

BSI (ang. backside-illuminated) oświetlane od tyłu

BST (ang. barium strontium titanate) tytanian baru i strontu

CCD (ang. charge-coupled-device) przyrząd ze sprzężeniem ładunkowym

CDS (ang. correlated double sampling) układ z podwójnym skorelowanym próbkowaniem

CIS (ang. CMOS image sensors)

CMOS (ang. complementary metal-oxide-semiconductor) technologia wytwarzania układów scalonych składających się z tranzystorów MOS o przeciwnych typach przewodnictwa (tj. n i p) i połączonych w taki sposób, że w ustalonym stanie logicznym przewodzi tylko jeden z nich

CQD (ang. colloidal quantum dot) koloidalna kropka kwantowa

DAS (ang. direct absorption spectroscopy) bezpośrednia spektroskopia absorpcyjna

DPS (ang. digital pixel sensor) piksel cyfrowy

DR (ang. dynamic range) zakres dynamiki

ESO European Space Organization

FF (ang. fill factor) współczynnik wypełnienia powierzchni matrycy, (ang. full frame) pełna ramka

FIR (ang. far infrared) daleka podczerwień

FOM (ang. figure of merit) kryterium jakości

FOV (ang. field of view) kąt (pole) widzenia

FPA (ang. focal plane arrays) mozaika detektorów z obróbką sygnału w płaszczyźnie obrazowej

FPN (ang. fixed pattern noise) szum wynikający z niejednorodności przestrzennej sygnału pikseli matrycy

FSI (ang. frontside-illuminated) oświetlane od przodu

FWC (ang. full well capacity) pojemność studni potencjału

HDVIP (ang. high density vertically integrated photodiode)

HEB (ang. hot electron bolometer) bolometr na gorących nośnikach

HEMT (ang. high-electron-mobility transistor) tranzystor o wysokiej ruchliwości elektronów

IDA (ang. integrated detector assembly) zestaw integracyjny detektora

JFET (ang. junction field effect transistor) tranzystor polowy złączowy

LIA (ang. lock-in amplifier) wzmacniacz fazoczuły

LWIR (ang. long-wave infrared) długofalowa podczerwień

MBE (ang. molecular beam epitaxy) wzrost warstw epitaksjalnych z wiązek molekularnych

MCP (ang. microchanel plate) płytka mikrokanalikowa

MOCVD (ang. metal-organic chemical vapour deposition) wzrost warstw epitaksjalnych ze związków metaloorganicznych

MOS (ang. metal-oxide-silicon) technologia produkcji tranzystorów polowych

MOSFET (ang. metal-oxide semiconductor field effect transistor) tranzystor polowy z izolowaną bramką

MRTD (ang. minimum resolvable temperature difference) różnica między temperaturą testu a temperaturą jednorodnego tła

MTF (ang. modulation transfer function) funkcja przenoszenia modulacji

MWIR (ang. mid-wave infrared) średnia podczerwień

NEC (ang. noise equivalent charge) ładunek równoważny szumom

NEI (ang. noise equivalent irradiance) natężenie napromienienia równoważne szumom

NEP (ang. noise equivalent power) moc równoważna szumom

NETD (ang. noise equivalent temperature difference) różnica temperatury równoważna szumom

NIR (ang. near infrared) bliska podczerwień

PMT (ang. photomultiplier) fotopowielacz

PPS (ang. passive pixel sensor) piksel pasywny

PSD (ang. phase sensitive detection) detekcja fazoczuła, (ang. phase sensitive detector) detektor fazoczuły

QDP (ang. quantum dot photodetector) fotodetektor z kropek kwantowych

QWIP (ang. quantum well infrared photodetector) fotodetektor na studniach kwantowych

ROIC (ang. readout integrated circuit) procesor odczytu sygnału

SBD (ang. Schottky barrier diode) dioda z barierą Schottky’ego

SCA (ang. sensor chip assembly) zestaw zintegrowanego detektora

SEM skaningowy mikroskop elektronowy

SFL (ang. signal fluctuation limit) warunki pracy detektora, w których wykrywalność jest ograniczona szumem fotonowym sygnału

SIS (ang. superconductor-insulator-superconductor) nadprzewodnik-izolator-nadprzewodnik

SNR (ang. signal-to noise ratio) stosunek sygnału do szumu

SRH Shockleya-Reada-Halla (proces generacji i rekombinacji nośników Shockleya-Reada-Halla)

SWaP Size, Weight, and Power kryterium

SWIR (ang. short-wave infrared) krótkofalowa podczerwień

TCR (ang. thermal coefficient of resistance) termiczny współczynnik rezystancji

TDI (ang. time delay integration) układy z opóźnieniem czasowym

TDS (ang. time domain spectroscopy) spektroskopia w dziedzinie czasu

TEC (ang. thermoelectric cooler) chłodziarka termoelektryczna

TES (ang. transition-edge superconducting), (ang. transmission-edge sensor) sensor, którego sygnał jest spowodowany zmianą rezystancji na krawędzi przejścia ze stanu nadprzewodnictwa do stanu normalnego

UPE ujemne powinowactwo elektronowe

WMAS (ang. wavelength modulation absorption spectroscopy) spektroskopia absorpcyjna z modulacją długości fali